通知公告

关于举办“半导体缺陷:起源、表征和对器件工艺的影响高级培训班”的通知

各有关单位:

为贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》,推进工业和信息化部“软件和集成电路人才培养计划”的实施,培养一批掌握核心关键技术,处于世界前沿水平的中青年专家和技术骨干,推动我国集成电路领域共性、关键性核心技术的整体突破,工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC定于2016年6月13-14日在上海共同举办“半导体缺陷:起源、表征和对器件工艺的影响高级培训班”,邀请IEEE Fellow、比利时鲁汶大学教授Cor Claeys授课。

本课程将介绍硅、锗及其合金中的缺陷,以及衬底缺陷对器件工艺的重要影响。课程将涉及半导体缺陷的各方面,包括原子结构、起源、电子和光学性质、最适合的表征和模拟技术,及其对器件工艺和成品率的影响。本课程贴近实际应用,将从涉及半导体晶体生长和加工中的缺陷的现实问题入手,并说明如何采用最适合的分析和计算技术来识别/解决这个问题。

现将有关事宜通知如下:

一、主办单位

工业和信息化部人才交流中心

比利时微电子研究中心(IMEC)

二、协办单位

复旦大学(微电子学院)

上海市集成电路行业协会

三、参加对象

本课程面向相关企业、研究机构、高等院校以及政府机构的高级管理人员、技术经理、工程师、研究员和教师等。课程采用全英文授课,不配备翻译,要求学员具备英语听课学习水平。中心将配备专家助理,协助学员解决英语沟通问题,进行课程辅导。

四、培训安排

培训时间:2016年6月13-14日(2天)

培训地点:上海(具体地点详见报到通知)

日程安排: 6月12日下午15:00-17:00报到

6月13日上午8:30举行开班仪式

6月14日下午17:00举行结业仪式

其余为上课时间:上午9:00-12:00

下午14:00-17:30

培训班结束后,将颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心(IMEC)共同证书,参加培训者可推荐参加国家“软件和集成电路人才培养计划”评选。

五、培训费用

本次课程培训费3000元/人(含授课费、场地费、资料费、培训期间午餐),学员交通、食宿等费用自理。请于2016年6月11日前将培训费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(培训班名称+单位+人数)。

户  名:工业和信息化部人才交流中心

开户行:中国工商银行北京公主坟支行

帐  号:0200004609004626666

六、报名方式

请各单位收到通知后,积极选派人员参加。报名截止日期为2016年6月11日,采用以下方式报名:

(一)  邮件报名

填写报名回执表并发送电子版至国家IC人才培养平台邮箱icplatform@miitec.cn),回执表文件名和邮件题目格式为:报名+培训班名称+单位名称+人数。

(二)  网上报名

访问“国家IC人才培养平台”官方网站(www.icplatform.cn,点击“在线报名”栏目,填写相关信息并提交。

(三)  微信报名

关注微信公众号“国家IC人才培养平台”(微信号:ICPlatform),并点击“在线报名”填写相关信息。

(四)  传真报名

填写报名回执表,打印电子版并传真至010-68207863。

 

工业和信息化部人才交流中心:

联系人:张萍丽、王喆、吴彦宁

电  话:010-68207879、68208717、68208716

传  真:010-68207863

E-mailicplatform@miitec.cn

 

附件:

1.报名回执表

2.课程大纲

3.专家简介

 

 

         工业和信息化部人才交流中心

                    2016年5月4日 


附件1:

报名回执表


附件2:

课程目录

Module 1 (3h): Defects in semiconductors: definitions and basics

- Structural properties: point defects, solubility and diffusion, dislocations, stacking faults, precipitates

- Defect nucleation: growth and multiplication, yield stress

- Temperature dependent mechanical properties of Si and Ge

- Impact point defects on physical material properties: critical radius, diffusion

模块13小时):半导体缺陷:定义和基础知识

- 结构特性:点缺陷;溶解和扩散;位错;层错;沉淀物

- 缺陷核;生长和增殖、屈服应力

- 硅和锗的温度相关的机械性能

- 用以支持缺陷研究的从头计算法

 

Module 2 (3h): Grown-in defects in silicon and germanium substrates

- Czochralski and Floating Zone single crystal growth of Si and Ge

- Grown-in point defects and point defect clusters

- Thermal donors, swirls

- Defect engineering: growing “perfect” crystals

- Impact of doping: O, N, C, group IV co-doping

模块23小时):在硅和锗衬底的原生缺陷

- 硅和锗的直拉法生长和浮区单晶生长

- 原生点缺陷和点缺陷集群

- 热供体,漩涡

- 缺陷工程:增长的“完美”晶体

- 掺杂的影响;O, N, C; IV共掺杂

 

Module 3 (3h): Processing-induced defects and defect engineering

- Oxygen precipitation: internal and external gettering, defect engineering

- Isolation oxide; bird’s beak; STI; stress; junction delineation

- Stress engineering

- Hetero-epitaxy on a Si-platform

- Ion implantation in Si: interstitial clusters, implantation damage, annealing, vacancy clusters, dopant activation, pre-amorhization, germanium versus silicon

- Metallic contamination:  precipitation, behavior of metals, cleaning, gettering, electrical impact

模块33小时):加工引起的缺陷和缺陷工程

- 氧气沉淀:内部和外部的吸气;缺陷工程

- 氧化物隔离;鸟嘴式;STI;压力;连接点描述

- 应力工程

- 硅平台上的异质外延

- 硅的离子注入:间质性集群,离子注入损伤,热处理,空位团,杂质激活,预非晶化转变,锗与硅对比

- 金属污染:沉淀,金属行为特性,清洗,吸气,电气方面的影响。

 

Module 4 (3h): Analytical techniques for semiconductor defect studies

- Defect etching

- Optical techniques:  infrared and visible light scattering, FTIR, PL

- Detection of metal in Si: decoration techniques, haze test

- Defects and electrical device properties

- Lifetime measurements: Zerbst technique, surface photovoltage (SPV), photoconductive decay (PCD), Elymat

模块43小时):用于半导体缺陷研究的分析技术

- 缺陷蚀刻

- 光学技术:红外线和可见光散射,FTIR, PL

- 硅的金属检测:修饰技术、浊度测试

- 缺陷和电器元件属性

- 寿命测量:Zerbst 技术,表面光伏,光电导衰减法,Elymat


 

附件3:

专家简介


比利时鲁汶大学教授

IEEE Fellow

Cor Claeys从比利时鲁汶大学获得博士学位。之后自1990年起,他便在鲁汶大学担任教授。目前他还主管IMEC负责战略关系的成长与新兴市场部门。他的主要科研兴趣在于硅技术、器件物理、低频噪音现象、辐射效应和缺陷工程及材料特性。他联合编写了一本书籍,关于“低温电子”和“锗为基础的技术:从材料到器件”,并写有专著关于“先进半导体材料与器件中的辐射效应”和“锗的扩展缺陷的基本原理和技术问题” 。他撰写及合著有14本书的章节,做过1000余次大会演讲,发表了1200余篇同行评议的文稿和技术论文。他还是60余项会议论文集的主编或者联合主编。Claeys教授是IEEE电化学学会的Fellow。他是IEEE电子器件“荷兰比利时卢森堡联盟”分会的创始人,IEEE比荷卢联盟的主席。他还是电子器件协会(EDS)的行政管理委员会委员,EDS分会和地区副主席,以及EDS 2008-2009主席。2012-2013年,他还是IEEE理事会分管主管。自2000年以来,他被选入IEEE EDS杰出讲座。他是IEEE千禧年奖章的获得者。2013年,他获得了IEEE EDS杰出服务奖。他曾短期访问贝尔法斯特女王大学和意大利卡拉布里亚大学,担任客座教授。

他任职于数期大会的程序委员会,并多次担任主席,大会包括ESSDERC-ESSCIRCWOLTEEUROSOIGADESTE-MRSCSTICICSICTICNFALTECHECS ULSI Process IntegrationICCDCSExtended defects in SemiconductorsSBMicroDRIPRADECS

IEEE电化学学会的组织内部,他还担任电子与光子分会的主席(2001-2003)2004年,他获得了电子与光子学门奖。1999年,他当选为联合国国际信息科学院的教授和院士。

在中国的经验:

出版翻译书籍《先进半导体材料及器件的辐射效应》和《半导体锗材料与器件》。

2014年和2015年的中国半导体技术国际会议(CSTI)大会主席。自2008年起,担任固态和集成电路技术国际会议(ICSICT)技术委员会成员。

大连理工大学的客座教授。

多次参与不同的中国高校举办的研讨会以及在中国组织的会议和论坛,受邀出席杰出讲座,发表主题演讲及受邀报告。

半导体中国信息科学(2013-2017)编委会的顾问委员会委员。




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2016-05-06

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