通知公告

关于举办“CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班”的通知

工业和信息化部人才交流中心

比利时微电子研究中心IMEC

关于举办“CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班”的通知

各有关单位:

为贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》,推进工业和信息化部“软件和集成电路人才培养计划”的实施,着力培养一批掌握核心关键技术、处于世界前沿水平的中青年专家和技术骨干,推动我国集成电路领域共性、关键性核心技术的整体突破,工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC定于2015年9月8-10日在合肥中国科学技术大学共同举办“CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班”,邀请世界RF功率放大器领域著名专家、IEEE SSCS主席,全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席、比利时鲁汶大学教授Patrick Reynaert授课。

本次课程将首先讲述系统级规范和PA基础,然后深入讨论不同 PA 和 TX 架构,并概述它们的优点和缺点,最后将涵盖许多实例,并详细地介绍它们的测量技术,例子包括从 180nm 到 28nm的技术和从 800 MHz到 85GHz的频率范围。

现将有关事宜通知如下:

一、       主办单位

工业和信息化部人才交流中心

比利时微电子研究中心IMEC

二、       协办单位

中国科学技术大学(微电子学院)

合肥市集成电路产业技术创新战略联盟

三、参加对象

本次课程面向相关企业、科研院所和高等学校从事模拟设计和RF功率放大器设计的工程师和科研人员。课程采用全英文授课,不配备翻译,要求学员具备英语听课学习水平。

四、培训安排

培训时间:2015年9月8-10日(3天)

          9月7日报到

培训地点:中国科学技术大学

          安徽省合肥市蜀山区金寨路96号

培训班结束后,将颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC共同证书,参加培训者可推荐参加国家“软件和集成电路人才培养计划”的评选。

五、培训费用

本期课程培训费3900元/人(含授课费、教室租赁费、资料费、证书费、培训期间午餐),学员交通、食宿等费用自理(开课前将提供相关协议酒店信息供选择)。请于2015年9月3日前将培训费汇至:

户  名:工业和信息化部人才交流中心

开户行:工商银行北京公主坟支行

帐  号:0200004609004626666

六、报名方式

请各单位收到通知后,积极选派人员参加。报名截止日期为2015年9月3日,请在此日期前将报名回执表传真或发送Email至工业和信息化部人才交流中心。

工业和信息化部人才交流中心:

联系人:曲来军、王浩、宋頔

电  话:010-68207879、68207883、68207867

传  真:010-68207863

E-mail:icplatform@miitec.cn

IMEC 中国:

联系人:牛晓芳

电  话:021-50172918—805

中国科学技术大学:

联系人:司虎

电  话:0551-63602645

合肥市集成电路产业技术创新战略联盟:

联系人:吴云飞

电  话:0551-65321234-8009

 

附件: 1.报名回执表

2.课程大纲

3.授课专家简介

 

 

                        工业和信息化部人才交流中心

                               2015年7月6日


 

附件1:

“CMOS和SOI的RF功率放大器高级培训班”报名回执表

单位名称


通讯地址


单位联系人

姓  名

工作部门及职务

电话/传真

手  机

Email






参加培训人员名称

姓  名

工作部门及职务

电话/传真

手  机

Email





































附件2:

课程介绍

This course is all about RF power amplifiers, implemented in CMOS and SOI technologies. Designing a power amplifier in CMOS or SOI is an important topic both in research and development at various universities and companies. This course starts from system-level specifications for applications such as WiFi, cellular and 60GHz. Next, the PA basics are discussed, including technology considerations, matching, supply voltage and transistor operating mode are discussed. This is followed by an in-depth discussion of the different PA and TX architectures (Envelope tracking, polar, Doherty, outphasing, full digital transmitters,…) with a review of their benefits and drawbacks. Finally, many implementation examples are covered and their measurements techniques are discussed in more detail. The examples cover technologies from 180nm down to 28nm, and a frequency range from 800MHz up to 85GHz.

本课程是关于通过CMOS和SOI技术实现的射频功率放大器。对于各大学和公司的研究和发展而言,通过CMOS或SOI设计功率放大器是一个重要的课题。本课程首先讲述一些应用的系统级规范,如WiFi、蜂窝和 60GHz。接下来,课程会讨论PA基础,包括技术考虑,匹配,供电电压和晶体管运作模式。然后深入讨论不同PA和TX架构 (包络跟踪、极性,Doherty、移相和全数字发射机...),并概述它们的优点和缺点。最后将涵盖许多实现示例,并更详细地介绍了它们的测量技术。例子包括从 180nm到28nm的技术和从800 MHz到85GHz的频率范围

Contents目录

1)    System-level aspects of power amplifiers: different wireless communication standards and their challenges for power amplification.

功率放大器系统级方面:不同无线通信标准和功率放大的挑战。

2)   CMOS and SOI RF PA challenges: technology limitations, transistor behavior and implementation of passives, thermal issues and packaging.

CMOS和SOI RF PA 挑战:技术限制、无源器件的晶体管行为和实现,散热问题和封装。

3)    RF PA modes of operation: linear, saturated and switching.

RF PA 操作模式:线性、饱和以及转换。

4)    RF PA topologies in CMOS and SOI: matching and power combining.

CMOS和SOI的 RF PA 拓扑:匹配和功率合成。

5)    RF PA architectures: Envelope tracking, polar modulation, outphasing, Doherty, Digital Transmitters.

RF PA 架构:包络追踪、极性调制、移相、Doherty、数字发射机。

6)    Implementation examples and measurement challenges.

实现示例和测量挑战。


附件3:

授课专家简介

Patrick Reynaert  帕特克·雷纳尔特

比利时鲁汶大学教授

IEEE高级会员

IEEE SSCS Benelux Chapter主席

全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席

帕特克·雷纳尔特于2001年和2006年在鲁汶大学获得了电气工程硕士和博士学位,期间他在比利时鲁汶ACE-Group担任讲师,教授电子电路设计的本科课程。在 2006年-2007年期间,他是加利福尼亚大学伯克利分校的电气工程与计算机科学系的博士后研究员。在伯克利无线研究中心,他加入Ali Niknejad团队研究毫米波 CMOS 集成电路。在这项研究中,他收到比利时美国教育基金会的 Francqui 基金会奖学金。2007年暑期,他在奥地利菲拉赫英飞凌担任客座研究员,致力于基站功率放大器线性化的研究。自2007年10月,他在鲁汶大学电气工程系担任教授,还是 ESAT-MICAS研究组的教师成员。他的主要研究包括毫米波和亚太赫兹 CMOS 电路设计和射频功率放大器。

帕特克·雷纳尔特是ESSCIRC和IEDM的技术程序委员会会员,IEEE高级会员,IEEE SSCS Benelux Chapter主席,全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席和和弗拉芒科学和创新议会创新政策的委员会的成员(VRWI)。在 2011年-2012年,他担任 IEEE SSCS杂志的编辑。他目前为 IEEE TCAS-1 杂志的副主编。2011年,他收到了TSMC-Europractice 创新奖。他还是2011年ESSCIRC最佳论文奖的获奖者。

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2015-09-11

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